Infineon CI de transistor único IGBT, IGB50N60TATMA1, Tipo N-Canal, 90 A, 600 V, TO-263, 3 pines Superficie

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Código RS:
215-6630
Nº ref. fabric.:
IGB50N60TATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

CI de transistor único IGBT

Corriente continua máxima de colector Ic

90A

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

600V

Disipación de potencia máxima Pd

333W

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

3

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

1.5V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Serie

TRENCHSTOPTM

Certificaciones y estándares

RoHS, JEDEC1

Estándar de automoción

No

El transistor bipolar Infineon de puerta aislada de pérdida baja con tecnología de parada de zanjas y parada de campo.

Eficiencia alta

Pérdidas de conmutación bajas

Mayor fiabilidad

Baja interferencia electromagnética

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