Infineon CI de transistor único IGBT, 28 A, 650 V, TO-220
- Código RS:
- 242-0979
- Nº ref. fabric.:
- IKP28N65ES5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 242-0979
- Nº ref. fabric.:
- IKP28N65ES5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 28A | |
| Tipo de producto | CI de transistor único IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 130W | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±20 ±30 V | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.9V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC47/20/22 | |
| Serie | 5th Generation | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 28A | ||
Tipo de producto CI de transistor único IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 130W | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±20 ±30 V | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.9V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares JEDEC47/20/22 | ||
Serie 5th Generation | ||
Estándar de automoción No | ||
El IGBT Infineon de 650 V, 28 A con diodo antiparalelo en encapsulado TO-220. Dispone de alta densidad de corriente, alta eficiencia, ciclos de tiempo de comercialización más rápidos, reducción de complejidad de diseño de circuitos y optimización de costes de material de PCB.
Dispositivo de conmutación suave de alta velocidad para conmutación dura y suave
175 °C temperatura de unión máxima
Sin necesidad de componentes de sujeción de puerta
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