Infineon CI de transistor único IGBT, Tipo N-Canal, 25 A, 650 V, TO-220, 3 pines Orificio pasante

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Código RS:
226-6079
Nº ref. fabric.:
IKA10N65ET6XKSA2
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

CI de transistor único IGBT

Corriente continua máxima de colector Ic

25A

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

650V

Disipación de potencia máxima Pd

32.5W

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

3

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

30 V

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

1.5V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Serie

TrenchStop

Estándar de automoción

No

El Infineon IKA10N65ET6 ofrece un buen rendimiento térmico, especialmente a frecuencias más altas y mayor margen de diseño y fiabilidad. Se trata de un diodo Rapid antiparalelo de recuperación rápida y muy suave.

VCE(sat) muy bajo de 1,5V V (típ.)

Temperatura de conexión máxima: 175 °C.

Carga de puerta baja QG

Chapado de cable sin plomo conforme con RoHS

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