IGBT, IKB40N65ES5ATMA1, 79 A, 650 V, PG-TO263-3, 3-Pines
- Código RS:
- 215-6654
- Nº ref. fabric.:
- IKB40N65ES5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 bobina de 1000 unidades)*
1.295,00 €
(exc. IVA)
1.567,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 4000 unidad(es) más para enviar a partir del 05 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 1000 + | 1,295 € | 1.295,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 215-6654
- Nº ref. fabric.:
- IKB40N65ES5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 79 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 650 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20 V, ±30 V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 230 W | |
| Tipo de Encapsulado | PG-TO263-3 | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 79 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 650 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20 V, ±30 V | ||
Disipación de Potencia Máxima 230 W | ||
Tipo de Encapsulado PG-TO263-3 | ||
Conteo de Pines 3 | ||
El transistor bipolar de quinta generación de puerta aislada de la serie de conmutación de alta velocidad Infineon.
Eficiencia alta
Pérdidas de conmutación bajas
Mayor fiabilidad
Baja interferencia electromagnética
Pérdidas de conmutación bajas
Mayor fiabilidad
Baja interferencia electromagnética