IGBT, IKB40N65ES5ATMA1, 79 A, 650 V, PG-TO263-3, 3-Pines
- Código RS:
- 215-6654
- Nº ref. fabric.:
- IKB40N65ES5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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|---|---|---|
| 1000 + | 1,295 € | 1.295,00 € |
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- Código RS:
- 215-6654
- Nº ref. fabric.:
- IKB40N65ES5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 79 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 650 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20 V, ±30 V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 230 W | |
| Tipo de Encapsulado | PG-TO263-3 | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 79 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 650 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20 V, ±30 V | ||
Disipación de Potencia Máxima 230 W | ||
Tipo de Encapsulado PG-TO263-3 | ||
Conteo de Pines 3 | ||
El transistor bipolar de quinta generación de puerta aislada de la serie de conmutación de alta velocidad Infineon.
Eficiencia alta
Pérdidas de conmutación bajas
Mayor fiabilidad
Baja interferencia electromagnética
Pérdidas de conmutación bajas
Mayor fiabilidad
Baja interferencia electromagnética