IGBT, IKB15N65EH5ATMA1, 30 A, 650 V, PG-TO263-3, 3-Pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
215-6648
Nº ref. fabric.:
IKB15N65EH5ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Corriente Máxima Continua del Colector

30 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

650 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20 V, ±30 V

Disipación de Potencia Máxima

105 W

Tipo de Encapsulado

PG-TO263-3

Conteo de Pines

3

El transistor bipolar Infineon de puerta aislada de conmutación de alta velocidad con encapsulado con diodo antiparalelo Rapid 1 de corriente nominal completa también tiene tensión de ruptura 650v.

Eficiencia alta
Pérdidas de conmutación bajas
Mayor fiabilidad
Baja interferencia electromagnética

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