IGBT, IKB40N65ES5ATMA1, 79 A, 650 V, PG-TO263-3, 3-Pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
215-6655
Nº ref. fabric.:
IKB40N65ES5ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Corriente Máxima Continua del Colector

79 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

650 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20 V, ±30 V

Disipación de Potencia Máxima

230 W

Tipo de Encapsulado

PG-TO263-3

Conteo de Pines

3

El transistor bipolar de quinta generación de puerta aislada de la serie de conmutación de alta velocidad Infineon.

Eficiencia alta
Pérdidas de conmutación bajas
Mayor fiabilidad
Baja interferencia electromagnética

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