Infineon CI de transistor único IGBT, IKB40N65ES5ATMA1, Tipo N-Canal, 79 A, 650 V, TO-263, 3 pines Superficie

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
215-6655
Nº ref. fabric.:
IKB40N65ES5ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Corriente continua máxima de colector Ic

79A

Tipo de producto

CI de transistor único IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

650V

Disipación de potencia máxima Pd

230W

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

3

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

±30 V

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

1.35V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Serie

High Speed Fifth Generation

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El transistor bipolar de quinta generación de puerta aislada de la serie de conmutación de alta velocidad Infineon.

Eficiencia alta

Pérdidas de conmutación bajas

Mayor fiabilidad

Baja interferencia electromagnética

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