Infineon CI de transistor único IGBT, IKB40N65ES5ATMA1, Tipo N-Canal, 79 A, 650 V, TO-263, 3 pines Superficie
- Código RS:
- 215-6655
- Nº ref. fabric.:
- IKB40N65ES5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 4,655 € | 9,31 € |
| 20 - 48 | 3,96 € | 7,92 € |
| 50 - 98 | 3,725 € | 7,45 € |
| 100 - 198 | 3,45 € | 6,90 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 215-6655
- Nº ref. fabric.:
- IKB40N65ES5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 79A | |
| Tipo de producto | CI de transistor único IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 230W | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.35V | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±30 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Serie | High Speed Fifth Generation | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 79A | ||
Tipo de producto CI de transistor único IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 230W | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.35V | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±30 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Serie High Speed Fifth Generation | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El transistor bipolar de quinta generación de puerta aislada de la serie de conmutación de alta velocidad Infineon.
Eficiencia alta
Pérdidas de conmutación bajas
Mayor fiabilidad
Baja interferencia electromagnética
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