Infineon AEC-Q101 CI de transistor único IGBT, Tipo N-Canal, 80 A, 600 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante
- Código RS:
- 215-6621
- Nº ref. fabric.:
- AIKW75N60CTXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 215-6621
- Nº ref. fabric.:
- AIKW75N60CTXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | CI de transistor único IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 80A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 600V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 428W | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.5V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 42mm | |
| Altura | 5.21mm | |
| Anchura | 16.13 mm | |
| Serie | TrenchStop | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto CI de transistor único IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 80A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 600V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 428W | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.5V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 42mm | ||
Altura 5.21mm | ||
Anchura 16.13 mm | ||
Serie TrenchStop | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El transistor bipolar de Infineon con puerta aislada con coeficiente de temperatura positivo en tensión de saturación.
Eficiencia alta
Pérdidas de conmutación bajas
Mayor fiabilidad
Baja interferencia electromagnética