Infineon AEC-Q100, AEC-Q101 CI de transistor único IGBT, Tipo N-Canal, 80 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante
- Código RS:
- 228-6508
- Nº ref. fabric.:
- AIKW50N65RF5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 228-6508
- Nº ref. fabric.:
- AIKW50N65RF5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | CI de transistor único IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 80A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 250W | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.6V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±2 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 41.9mm | |
| Altura | 5.3mm | |
| Serie | TrenchStop | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101/100 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q100, AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto CI de transistor único IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 80A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 250W | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.6V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±2 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 41.9mm | ||
Altura 5.3mm | ||
Serie TrenchStop | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101/100 | ||
Estándar de automoción AEC-Q100, AEC-Q101 | ||
El AIKW50N65RF5 de Infineon es un dispositivo de potencia híbrido con tecnología de potencia SiC con el mejor rendimiento de coste es el aspecto más importante para aplicaciones auxiliares en vehículos eléctricos y vehículos híbridos. El híbrido de IGBT de conmutación rápida AUTOMÁTICA 650V TRENCHSTOP 5 y diodo Schottky CoolSiC para permitir un impulso de rendimiento rentable para aplicaciones de automoción de conmutación rápida como cargador integrado, PFC, dc-dc y dc-ac.
IGBT de conmutación rápida Trenchstop 5
La mejor eficiencia de su clase en topologías resonantes y conmutación dura
Carga de compuerta baja Qg
Temperatura de conexión máxima: 175 °C.
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