Infineon AEC-Q101 CI de transistor único IGBT, AIGW50N65F5XKSA1, 80 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante
- Código RS:
- 215-6611
- Nº ref. fabric.:
- AIGW50N65F5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
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| 10 - 18 | 5,52 € | 11,04 € |
| 20 - 48 | 5,05 € | 10,10 € |
| 50 - 98 | 4,355 € | 8,71 € |
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- Código RS:
- 215-6611
- Nº ref. fabric.:
- AIGW50N65F5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | CI de transistor único IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 80A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 270W | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.66V | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±30 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101 | |
| Serie | High Speed Fifth Generation | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto CI de transistor único IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 80A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 270W | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.66V | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±30 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101 | ||
Serie High Speed Fifth Generation | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El transistor bipolar Infineon de puerta aislada rápida de alta velocidad de tres contactos.
Eficiencia alta
Pérdidas de conmutación bajas
Mayor fiabilidad
Baja interferencia electromagnética