Infineon CI de transistor único IGBT, IHW30N65R5XKSA1, Tipo N-Canal, 60 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
215-6639
Nº ref. fabric.:
IHW30N65R5XKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

CI de transistor único IGBT

Corriente continua máxima de colector Ic

60A

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

650V

Disipación de potencia máxima Pd

176W

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

3

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

1.7V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

16.13 mm

Serie

Resonant Switching

Certificaciones y estándares

RoHS

Altura

5.21mm

Longitud

42mm

Estándar de automoción

No

Transistor bipolar Infineon resonante de conmutación inversa de puerta aislada con diodo de cuerpo monolítico.

Eficiencia alta

Pérdidas de conmutación bajas

Mayor fiabilidad

Baja interferencia electromagnética

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