Infineon CI de transistor único IGBT, IKW30N65EL5XKSA1, Tipo N-Canal, 85 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 2 unidades)*

7,85 €

(exc. IVA)

9,498 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Información relativa a las existencias no accesible actualmente - Vuelva a comprobarlo más tarde
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
2 - 83,925 €7,85 €
10 - 183,535 €7,07 €
20 - 483,295 €6,59 €
50 - 983,06 €6,12 €
100 +2,545 €5,09 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
226-6113
Nº ref. fabric.:
IKW30N65EL5XKSA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Corriente continua máxima de colector Ic

85A

Tipo de producto

CI de transistor único IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

650V

Disipación de potencia máxima Pd

227W

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

3

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

30 V

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

1.5V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

JEDEC

Longitud

41.9mm

Altura

5.3mm

Serie

LowVCE(sat) Fifth Generation

Anchura

16.3 mm

Estándar de automoción

No

El Infineon IKW30N65EL5 tiene una tensión de ruptura de 650V mV y utiliza una tensión de saturación de colector-emisor muy baja y mayor eficiencia para 50Hz. Tiene una vida útil más larga y mayor fiabilidad de IGBT.

Carga de compuerta baja Qg

Temperatura de conexión máxima: 175 °C.

Calificación conforme a JEDEC para aplicaciones de destino

Enlaces relacionados