IGBT, IKW30N65EL5XKSA1, N-Canal, 85 A, 650 V, PG-TO247, 3-Pines 1

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
226-6113
Nº ref. fabric.:
IKW30N65EL5XKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Corriente Máxima Continua del Colector

85 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

650 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

30V

Disipación de Potencia Máxima

227 W

Número de transistores

1

Configuración

Único

Tipo de Encapsulado

PG-TO247

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

El Infineon IKW30N65EL5 tiene una tensión de ruptura de 650V mV y utiliza una tensión de saturación de colector-emisor muy baja y mayor eficiencia para 50Hz. Tiene una vida útil más larga y mayor fiabilidad de IGBT.

Carga de compuerta baja Qg
Temperatura de conexión máxima: 175 °C.
Calificación conforme a JEDEC para aplicaciones de destino

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