Infineon CI de transistor único IGBT, Tipo N-Canal, 85 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante
- Código RS:
- 226-6112
- Nº ref. fabric.:
- IKW30N65EL5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
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| 60 - 120 | 2,975 € | 89,25 € |
| 150 + | 2,85 € | 85,50 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 226-6112
- Nº ref. fabric.:
- IKW30N65EL5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | CI de transistor único IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 85A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 650V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 227W | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 30 V | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.5V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 5.3mm | |
| Longitud | 41.9mm | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC | |
| Serie | LowVCE(sat) Fifth Generation | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto CI de transistor único IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 85A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 650V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 227W | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 30 V | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.5V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 5.3mm | ||
Longitud 41.9mm | ||
Certificaciones y estándares JEDEC | ||
Serie LowVCE(sat) Fifth Generation | ||
Estándar de automoción No | ||
El Infineon IKW30N65EL5 tiene una tensión de ruptura de 650V mV y utiliza una tensión de saturación de colector-emisor muy baja y mayor eficiencia para 50Hz. Tiene una vida útil más larga y mayor fiabilidad de IGBT.
Carga de compuerta baja Qg
Temperatura de conexión máxima: 175 °C.
Calificación conforme a JEDEC para aplicaciones de destino
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