IGBT, AIKW50N65RF5XKSA1, 80 A, 650 V, PG-TO247-3, 3-Pines Simple

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
228-6510
Nº ref. fabric.:
AIKW50N65RF5XKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Corriente Máxima Continua del Colector

80 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

650 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20.0V

Disipación de Potencia Máxima

250 W

Tipo de Encapsulado

PG-TO247-3

Conteo de Pines

3

Configuración de transistor

Simple

El AIKW50N65RF5 de Infineon es un dispositivo de potencia híbrido con tecnología de potencia SiC con el mejor rendimiento de coste es el aspecto más importante para aplicaciones auxiliares en vehículos eléctricos y vehículos híbridos. El híbrido de IGBT de conmutación rápida AUTOMÁTICA 650V TRENCHSTOP 5 y diodo Schottky CoolSiC para permitir un impulso de rendimiento rentable para aplicaciones de automoción de conmutación rápida como cargador integrado, PFC, dc-dc y dc-ac.

IGBT de conmutación rápida Trenchstop 5
La mejor eficiencia de su clase en topologías resonantes y conmutación dura
Carga de compuerta baja Qg
Temperatura de conexión máxima: 175 °C.

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