Infineon CI de transistor único IGBT, Tipo N-Canal, 40 A, 1350 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante
- Código RS:
- 215-6635
- Nº ref. fabric.:
- IHW20N135R5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 1,716 € | 51,48 € |
| 60 - 120 | 1,63 € | 48,90 € |
| 150 - 270 | 1,562 € | 46,86 € |
| 300 - 570 | 1,493 € | 44,79 € |
| 600 + | 1,39 € | 41,70 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 215-6635
- Nº ref. fabric.:
- IHW20N135R5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | CI de transistor único IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 40A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1350V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 310W | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.85V | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±25 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC61249-2-21, RoHS | |
| Serie | Resonant Switching | |
| Longitud | 42mm | |
| Altura | 5.21mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto CI de transistor único IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 40A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1350V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 310W | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.85V | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±25 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares IEC61249-2-21, RoHS | ||
Serie Resonant Switching | ||
Longitud 42mm | ||
Altura 5.21mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El transistor bipolar Infineon de puerta aislada de conducción inversa con diodo de cuerpo monolítico ofrece una alta tensión de ruptura de 1350v.
Eficiencia alta
Pérdidas de conmutación bajas
Mayor fiabilidad
Baja interferencia electromagnética
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