Infineon CI de transistor único IGBT, Tipo N-Canal, 40 A, 1350 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante
- Código RS:
- 215-6635
- Nº ref. fabric.:
- IHW20N135R5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 tubo de 30 unidades)*
51,48 €
(exc. IVA)
62,28 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 210 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 1,716 € | 51,48 € |
| 60 - 120 | 1,63 € | 48,90 € |
| 150 - 270 | 1,562 € | 46,86 € |
| 300 - 570 | 1,493 € | 44,79 € |
| 600 + | 1,39 € | 41,70 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 215-6635
- Nº ref. fabric.:
- IHW20N135R5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 40A | |
| Tipo de producto | CI de transistor único IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1350V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 310W | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.85V | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±25 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Serie | Resonant Switching | |
| Certificaciones y estándares | IEC61249-2-21, RoHS | |
| Altura | 5.21mm | |
| Longitud | 42mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 40A | ||
Tipo de producto CI de transistor único IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1350V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 310W | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.85V | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±25 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Serie Resonant Switching | ||
Certificaciones y estándares IEC61249-2-21, RoHS | ||
Altura 5.21mm | ||
Longitud 42mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El transistor bipolar Infineon de puerta aislada de conducción inversa con diodo de cuerpo monolítico ofrece una alta tensión de ruptura de 1350v.
Eficiencia alta
Pérdidas de conmutación bajas
Mayor fiabilidad
Baja interferencia electromagnética
Enlaces relacionados
- Infineon CI de transistor único IGBT Tipo N-Canal 1350 V 3 pines Orificio pasante
- Infineon CI de transistor único IGBT 74 A TO-247, 3 pines Superficie
- Infineon CI de transistor único IGBT 650 V 3 pines
- Infineon CI de transistor único IGBT 1200 V 3 pines
- Infineon CI de transistor único IGBT Tipo N-Canal 650 V 3 pines Superficie
- Infineon CI de transistor único IGBT 75 A PG-TO-247, 3 pines
- Infineon CI de transistor único IGBT 20 A PG-TO-247, 3 pines
- Infineon CI de transistor único IGBT 85 A TO-247, 3 pines Orificio pasante