Infineon CI de transistor único IGBT, IHW20N135R5XKSA1, Tipo N-Canal, 40 A, 1350 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante

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Código RS:
215-6636
Nº ref. fabric.:
IHW20N135R5XKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

CI de transistor único IGBT

Corriente continua máxima de colector Ic

40A

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

1350V

Disipación de potencia máxima Pd

310W

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

3

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

±25 V

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

1.85V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

42mm

Altura

5.21mm

Serie

Resonant Switching

Certificaciones y estándares

IEC61249-2-21, RoHS

Estándar de automoción

No

El transistor bipolar Infineon de puerta aislada de conducción inversa con diodo de cuerpo monolítico ofrece una alta tensión de ruptura de 1350v.

Eficiencia alta

Pérdidas de conmutación bajas

Mayor fiabilidad

Baja interferencia electromagnética

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