Infineon IGBT, IKQ100N60TXKSA1, Tipo N-Canal, 160 A, 600 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante
- Código RS:
- 215-6665
- Nº ref. fabric.:
- IKQ100N60TXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
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*precio indicativo
- Código RS:
- 215-6665
- Nº ref. fabric.:
- IKQ100N60TXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 160A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 600V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 714W | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.5V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 41.2mm | |
| Altura | 5.1mm | |
| Serie | TrenchStop | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 160A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 600V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 714W | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.5V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 41.2mm | ||
Altura 5.1mm | ||
Serie TrenchStop | ||
Estándar de automoción No | ||
El transistor bipolar de Infineon con puerta aislada con coeficiente de temperatura positivo en tensión de saturación tiene diodo controlado por emisor antiparalelo de recuperación rápida.
Eficiencia alta
Pérdidas de conmutación bajas
Mayor fiabilidad
Baja interferencia electromagnética
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