IGBT, IKQ120N60TXKSA1, N-Canal, 160 A, 600 V, PG-TO247, 3-Pines 1 Simple
- Código RS:
- 226-6109
- Nº ref. fabric.:
- IKQ120N60TXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 226-6109
- Nº ref. fabric.:
- IKQ120N60TXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 160 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 600 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | 20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 833 W | |
| Número de transistores | 1 | |
| Tipo de Encapsulado | PG-TO247 | |
| Configuración | Único | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 160 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 600 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor 20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 833 W | ||
Número de transistores 1 | ||
Tipo de Encapsulado PG-TO247 | ||
Configuración Único | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
El Infineon IKQ120N60T tiene un discreto IGBT de conmutación dura de 600 V con diodo antiparalelo que utiliza un IC de densidad de potencia del sistema superior que aumenta el mantenimiento del mismo rendimiento térmico del sistema y tiene una mayor fiabilidad con una vida útil prolongada del dispositivo.
Área de almohadilla térmica activa un 35 % mayor para reducir la resistencia térmica R th(jh) hasta un 20 %
Distancia de separación extendida de 4,25 mm – 2 mm mayor que TO-247
Distancia de separación extendida de 4,25 mm – 2 mm mayor que TO-247