IGBT, IKQ120N60TXKSA1, N-Canal, 160 A, 600 V, PG-TO247, 3-Pines 1 Simple

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
226-6109
Nº ref. fabric.:
IKQ120N60TXKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Corriente Máxima Continua del Colector

160 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

600 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

20V

Disipación de Potencia Máxima

833 W

Número de transistores

1

Tipo de Encapsulado

PG-TO247

Configuración

Único

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

Configuración de transistor

Simple

El Infineon IKQ120N60T tiene un discreto IGBT de conmutación dura de 600 V con diodo antiparalelo que utiliza un IC de densidad de potencia del sistema superior que aumenta el mantenimiento del mismo rendimiento térmico del sistema y tiene una mayor fiabilidad con una vida útil prolongada del dispositivo.

Área de almohadilla térmica activa un 35 % mayor para reducir la resistencia térmica R th(jh) hasta un 20 %
Distancia de separación extendida de 4,25 mm – 2 mm mayor que TO-247

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