Infineon CI de transistor único IGBT, IHW30N120R5XKSA1, Tipo N-Canal, 60 A, 1200 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante

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Código RS:
226-6078
Nº ref. fabric.:
IHW30N120R5XKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

CI de transistor único IGBT

Corriente continua máxima de colector Ic

60A

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

1200V

Disipación de potencia máxima Pd

330W

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

3

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

25 V

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

1.55V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Serie

Resonant Switching

Certificaciones y estándares

RoHS

Altura

5.21mm

Longitud

42mm

Estándar de automoción

No

El diodo de cuerpo monolítico completo de potencia Infineon IHW30N120R5 con baja tensión directa diseñado para conmutación suave solo y tiene alta resistencia, comportamiento estable a temperatura con VCEsat bajo.

Distribución de parámetros muy ajustada

EMI bajo

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