IGBT, IHW30N120R5XKSA1, N-Canal, 60 A, 1.200 V, PG-TO247, 3-Pines 1 Simple
- Código RS:
- 226-6078
- Nº ref. fabric.:
- IHW30N120R5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*
16,85 €
(exc. IVA)
20,40 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 1690 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
- Disponible(s) 110 unidad(es) más para enviar a partir del 08 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 3,37 € | 16,85 € |
| 25 - 45 | 2,222 € | 11,11 € |
| 50 - 120 | 2,056 € | 10,28 € |
| 125 - 245 | 1,922 € | 9,61 € |
| 250 + | 1,788 € | 8,94 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 226-6078
- Nº ref. fabric.:
- IHW30N120R5XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 60 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 1.200 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | 25V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 330 W | |
| Número de transistores | 1 | |
| Configuración | Único | |
| Tipo de Encapsulado | PG-TO247 | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 60 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 1.200 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor 25V | ||
Disipación de Potencia Máxima 330 W | ||
Número de transistores 1 | ||
Configuración Único | ||
Tipo de Encapsulado PG-TO247 | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
El diodo de cuerpo monolítico completo de potencia Infineon IHW30N120R5 con baja tensión directa diseñado para conmutación suave solo y tiene alta resistencia, comportamiento estable a temperatura con VCEsat bajo.
Distribución de parámetros muy ajustada
EMI bajo
EMI bajo