Infineon CI de transistor único IGBT, IKY40N120CS6XKSA1, Tipo N-Canal, 80 A, 1200 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante
- Código RS:
- 226-6120
- Nº ref. fabric.:
- IKY40N120CS6XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- 226-6120
- Nº ref. fabric.:
- IKY40N120CS6XKSA1
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- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 80A | |
| Tipo de producto | CI de transistor único IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1200V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 5kW | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2.15V | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 25 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 15.9 mm | |
| Longitud | 41.2mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 5.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 80A | ||
Tipo de producto CI de transistor único IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1200V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 5kW | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2.15V | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 25 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 15.9 mm | ||
Longitud 41.2mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 5.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El IGBT Infineon 40 A con diodo antiparalelo es muy suave, diodo antiparalelo de recuperación rápida y tiene un comportamiento estable a temperatura y alta resistencia. Utilizaba una carga de compuerta baja.
EMI bajo
Carga de compuerta baja Qg
Tensión de saturación baja de IF 1,85 V combinada con bajas pérdidas de conmutación