Infineon CI de transistor único IGBT, IHW15N120E1XKSA1, Tipo N-Canal, 30 A, 1200 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante
- Código RS:
- 226-6076
- Nº ref. fabric.:
- IHW15N120E1XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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*precio indicativo
- Código RS:
- 226-6076
- Nº ref. fabric.:
- IHW15N120E1XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 30A | |
| Tipo de producto | CI de transistor único IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1200V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 156W | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.5V | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 25 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Serie | Resonant Soft-Switching | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC for target applications | |
| Altura | 5.21mm | |
| Longitud | 42mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 30A | ||
Tipo de producto CI de transistor único IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1200V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 156W | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.5V | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 25 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Serie Resonant Soft-Switching | ||
Certificaciones y estándares JEDEC for target applications | ||
Altura 5.21mm | ||
Longitud 42mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El diodo de cuerpo monolítico completo de alimentación Infineon IHW15N120E1 con baja tensión directa diseñado para conmutación suave solo y tiene alta resistencia, comportamiento estable a temperatura con VCEsat bajo.
Distribución de parámetros muy ajustada
EMI bajo
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