IGBT, IKD15N60RFATMA1, N-Canal, 30 A, 600 V, PG-TO252, 3-Pines 1 Simple

Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*

1.987,50 €

(exc. IVA)

2.405,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 22 de mayo de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
2500 +0,795 €1.987,50 €

*precio indicativo

Código RS:
226-6099
Nº ref. fabric.:
IKD15N60RFATMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Corriente Máxima Continua del Colector

30 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

600 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

20V

Disipación de Potencia Máxima

250 W

Número de transistores

1

Tipo de Encapsulado

PG-TO252

Configuración

Único

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

Configuración de transistor

Simple

El Infineon IKD03N60RF es más fiable gracias a IGBT y diodo integrados monolíticamente gracias a un menor ciclo térmico durante la conmutación. Ofrece un rendimiento de conmutación suave que conduce a un bajo nivel EMI y su rango de funcionamiento es de 4 V a 30kHz A.

Distribución de parámetros muy ajustada
Temperatura de conexión máxima: 175 °C.
Capacidad de cortocircuito de 5μs

Enlaces relacionados