Infineon IGBT, Tipo N-Canal, 30 A, 600 V, TO-252, 3 pines Superficie, 20 kHz
- Código RS:
- 215-6656
- Nº ref. fabric.:
- IKD15N60RATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
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*precio indicativo
- Código RS:
- 215-6656
- Nº ref. fabric.:
- IKD15N60RATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 30A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 600V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 250W | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Velocidad de conmutación | 20kHz | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2.1V | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC | |
| Serie | TrenchStop | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 30A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 600V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 250W | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Velocidad de conmutación 20kHz | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2.1V | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares JEDEC | ||
Serie TrenchStop | ||
Estándar de automoción No | ||
El transistor bipolar de Infineon con puerta aislada con diodo integrado en encapsulados que ofrece ahorro de espacio.
Eficiencia alta
Pérdidas de conmutación bajas
Mayor fiabilidad
Baja interferencia electromagnética