IGBT, IKD10N60RATMA1, N-Canal, 20 A, 600 V, PG-TO252, 3-Pines 1 Simple
- Código RS:
- 226-6098
- Nº ref. fabric.:
- IKD10N60RATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 226-6098
- Nº ref. fabric.:
- IKD10N60RATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 20 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 600 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | 20V | |
| Número de transistores | 1 | |
| Disipación de Potencia Máxima | 150 W | |
| Configuración | Único | |
| Tipo de Encapsulado | PG-TO252 | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 20 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 600 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor 20V | ||
Número de transistores 1 | ||
Disipación de Potencia Máxima 150 W | ||
Configuración Único | ||
Tipo de Encapsulado PG-TO252 | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
El Infineon IKD03N60RF es más fiable gracias a IGBT y diodo integrados monolíticamente gracias a un menor ciclo térmico durante la conmutación. Ofrece un rendimiento de conmutación suave que conduce a un bajo nivel EMI y su rango de funcionamiento es de 4 V a 30kHz A.
Distribución de parámetros muy ajustada
Temperatura de conexión máxima: 175 °C.
Capacidad de cortocircuito de 5μs
Temperatura de conexión máxima: 175 °C.
Capacidad de cortocircuito de 5μs