IGBT, IKD10N60RFATMA1, 600 V, PG-TO252-3
- Código RS:
- 258-1003
- Nº ref. fabric.:
- IKD10N60RFATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,499 € | 1.247,50 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 258-1003
- Nº ref. fabric.:
- IKD10N60RFATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 600 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Tipo de Encapsulado | PG-TO252-3 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 600 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Tipo de Encapsulado PG-TO252-3 | ||
El IGBT3 de conmutación dura de 600 V, 10 A de Infineon RC-Drives con diodo de conducción inversa monolíticamente integrado en un encapsulado TO252, ha sido desarrollado por Infineon como una solución rentable optimizada para el mercado de unidades de consumo. Esta tecnología básica proporciona un rendimiento excepcional para accionamientos de motor dc sin escobillas y síncronos de imán permanente.
Distribución de parámetros muy estrecha
Mejor rendimiento de corriente en comparación con el tamaño del encapsulado
Estabilidad de temperatura excepcional
Muy buen comportamiento EMI
Mejor rendimiento de corriente en comparación con el tamaño del encapsulado
Estabilidad de temperatura excepcional
Muy buen comportamiento EMI