IGBT, IKWH70N65WR6XKSA1, N-Canal, 70 A, 650 V, TO-247-3-HCC, 3-Pines 1 Simple
- Código RS:
- 232-6747
- Nº ref. fabric.:
- IKWH70N65WR6XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 9 | 4,56 € |
| 10 - 24 | 4,33 € |
| 25 - 49 | 4,16 € |
| 50 - 99 | 3,97 € |
| 100 + | 3,70 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 232-6747
- Nº ref. fabric.:
- IKWH70N65WR6XKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 70 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 650 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 145 W | |
| Número de transistores | 1 | |
| Tipo de Encapsulado | TO-247-3-HCC | |
| Configuración | Único | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Tipo de Canal | N | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 70 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 650 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 145 W | ||
Número de transistores 1 | ||
Tipo de Encapsulado TO-247-3-HCC | ||
Configuración Único | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Tipo de Canal N | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
El IGBT TRENCHSTOP 5 WR6 de conducción inversa 70 A de Infineon se suministra en encapsulado TO-247-3-HCC de alta edad de fluencia y separación. Está específicamente optimizado para PFC para aplicaciones de inversor de soldadura y RAC / CAC. La excelente relación precio/rendimiento de WR6 IGBT permite el acceso a la tecnología de alto rendimiento también para clientes sensibles a costes. El WR6 ofrece el VCEsat más bajo y ESW que permite la frecuencia de conmutación de hasta 75 kHz. El IGBT WR6 también permite un diseño más fiable con mayores holguras y distancias de arrastre.
Diodo integrado monolíticamente
Pérdidas de conmutación más bajas
Mayor fiabilidad frente a la contaminación del paquete
Pérdidas de conmutación más bajas
Mayor fiabilidad frente a la contaminación del paquete