STMicroelectronics IGBT, STGYA50H120DF2, 1200 V, 3 pines, 5 μs
- Código RS:
- 244-3195
- Nº ref. fabric.:
- STGYA50H120DF2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 244-3195
- Nº ref. fabric.:
- STGYA50H120DF2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1200V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 535W | |
| Número de pines | 3 | |
| Velocidad de conmutación | 5μs | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2.1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | ±20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Serie | H | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1200V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 535W | ||
Número de pines 3 | ||
Velocidad de conmutación 5μs | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2.1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO ±20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Serie H | ||
Estándar de automoción No | ||
El IGBT STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando una estructura de tope de campo de puerta de zanja propia de Advanced. Este dispositivo forma parte de la serie H de IGBT, que representan un compromiso óptimo entre pérdidas de conmutación y conducción para maximizar la eficiencia de convertidores de frecuencia de conmutación alta. Además, un coeficiente de temperatura VCE(sat) ligeramente positivo y una distribución de parámetros muy ajustada resultan en un funcionamiento en paralelo más seguro.
Temperatura de conexión máxima TJ = 175 °C.
tiempo de resistencia a cortocircuito de 5 μs
VCE(sat) bajo = 2,1 V (típ.) A IC = 50 A.
Distribución de parámetros ajustada
Coeficiente de temperatura VCE(sat) positivo
Resistencia térmica baja
Diodo antiparalelo de recuperación muy rápida