IGBT, STGYA50H120DF2, 50 A, 1200 V, Max247 long leads 1
- Código RS:
- 244-3195
- Nº ref. fabric.:
- STGYA50H120DF2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 244-3195
- Nº ref. fabric.:
- STGYA50H120DF2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 50 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 1200 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 535 W | |
| Número de transistores | 1 | |
| Configuración | Serie | |
| Tipo de Encapsulado | Max247 long leads | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 50 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 1200 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 535 W | ||
Número de transistores 1 | ||
Configuración Serie | ||
Tipo de Encapsulado Max247 long leads | ||
The STMicroelectronics IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field stop structure. This device is part of the H series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of high switching frequency converters. Moreover, a slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
Maximum junction temperature TJ = 175 °C
5 μs of short-circuit withstand time
Low VCE(sat) = 2.1 V (typ.) @ IC = 50 A
Tight parameter distribution
Positive VCE(sat) temperature coefficient
Low thermal resistance
Very fast recovery antiparallel diode
5 μs of short-circuit withstand time
Low VCE(sat) = 2.1 V (typ.) @ IC = 50 A
Tight parameter distribution
Positive VCE(sat) temperature coefficient
Low thermal resistance
Very fast recovery antiparallel diode