STMicroelectronics IGBT, STGYA50M120DF3, 50 A, 1200 V, 3 pines Orificio pasante
- Código RS:
- 248-4896
- Nº ref. fabric.:
- STGYA50M120DF3
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 248-4896
- Nº ref. fabric.:
- STGYA50M120DF3
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 50A | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1200V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 535W | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.7V | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 15.9mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Serie | STGYA50M120DF3 | |
| Altura | 5.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 50A | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1200V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 535W | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.7V | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 15.9mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Serie STGYA50M120DF3 | ||
Altura 5.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El producto STMicroelectronics es un IGBT desarrollado utilizando una estructura de parada de campo de puerta de trinchera patentada avanzada. El dispositivo forma parte de los IGBT de la serie M, que representan un equilibrio óptimo entre el rendimiento y la eficiencia del sistema de inversor donde la baja pérdida y la funcionalidad de cortocircuito son esenciales. Además, el coeficiente de temperatura VCEsat positivo y la distribución de parámetros estrecha resultan en un funcionamiento en paralelo más seguro.
Temperatura de unión máxima de 175 grados C
10 μs de tiempo de resistencia a cortocircuito
Baja VCEsat
Distribución de parámetros estrecha
Coeficiente de temperatura VCEsat positivo
Baja resistencia térmica
Diodo antiparalelo suave y de recuperación rápida
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