IGBT, STGYA75H120DF2, 150 A, 1200 V, Max247, 3-Pines
- Código RS:
- 234-8894
- Nº ref. fabric.:
- STGYA75H120DF2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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Unidad(es) | Por unidad |
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| 10 - 24 | 6,76 € |
| 25 - 49 | 6,31 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 234-8894
- Nº ref. fabric.:
- STGYA75H120DF2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 150 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 1200 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 750 W | |
| Tipo de Encapsulado | Max247 | |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 150 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 1200 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 750 W | ||
Tipo de Encapsulado Max247 | ||
Tipo de Montaje Montaje en orificio pasante | ||
Conteo de Pines 3 | ||
El IGBT de STMicroelectronics desarrollado con una avanzada estructura de parada de campo de puerta de zanja propia. Este dispositivo forma parte de la serie H de IGBT, que representa un compromiso óptimo entre conducción y pérdidas de conmutación para maximizar la eficiencia de los convertidores de alta frecuencia de conmutación. Además, un coeficiente de temperatura VCE(sat) ligeramente positivo y una distribución de parámetros muy ajustada proporcionan un funcionamiento en paralelo más seguro.
Temperatura de unión máxima TJ = 17ºC
5 μs de tiempo de resistencia a cortocircuitos
VCE(sat) = 2,1 V (típ.) a IC = 75 A
Distribución de parámetros ajustada
Coeficiente de temperatura VCE(sat) positivo
Resistencia térmica baja
Diodo antiparalelo de recuperación muy rápida
5 μs de tiempo de resistencia a cortocircuitos
VCE(sat) = 2,1 V (típ.) a IC = 75 A
Distribución de parámetros ajustada
Coeficiente de temperatura VCE(sat) positivo
Resistencia térmica baja
Diodo antiparalelo de recuperación muy rápida