Nº ref. fabric.

STMicroelectronics IGBT, STGF3NC120HD, N-Canal, 6 A, 1200 V, TO-220, 3 pines Orificio pasante, 1 MHZ

Código RS:: 795-9094
Nº ref. fabric.:: STGF3NC120HD
Fabricante:: STMicroelectronics

STMicroelectronics IGBT, STGF3NC120HD, N-Canal, 6 A, 1200 V, TO-220, 3 pines Orificio pasante, 1 MHZ

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Código RS:: 795-9094
Nº ref. fabric.:: STGF3NC120HD
Fabricante:: STMicroelectronics

Especificaciones

Documentación Técnica

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Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	STMicroelectronics
	Tipo de producto	IGBT
	Corriente continua máxima de colector Ic	6A
	Tensión Colector-Emisor máxima VCEO	1200V
	Disipación de potencia máxima Pd	25W
	Encapsulado	TO-220
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Tipo de canal	N
	Número de pines	3
	Velocidad de conmutación	1MHZ
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT	2.8V
	Tensión máxima del emisor de puerta VGEO	20 V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	4.6mm
	Altura	16.4mm
	Longitud	10.4mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca STMicroelectronics
	Tipo de producto IGBT
	Corriente continua máxima de colector Ic 6A
	Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1200V
	Disipación de potencia máxima Pd 25W
	Encapsulado TO-220
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Tipo de canal N
	Número de pines 3
	Velocidad de conmutación 1MHZ
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2.8V
	Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 4.6mm
	Altura 16.4mm
	Longitud 10.4mm
	Estándar de automoción No

Discretos IGBT, STMicroelectronics

IGBT discretos y módulos, STMicroelectronics

El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

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