STMicroelectronics IGBT, Tipo N-Canal, 15 A, 600 V, TO-220, 3 pines Orificio pasante, 1 MHz

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*

8,16 €

(exc. IVA)

9,875 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 1610 unidad(es) más para enviar a partir del 11 de mayo de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"

Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
5 - 201,632 €8,16 €
25 - 451,55 €7,75 €
50 - 1201,396 €6,98 €
125 - 2451,256 €6,28 €
250 +1,192 €5,96 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
686-8388
Nº ref. fabric.:
STGP6NC60HD
Fabricante:
STMicroelectronics
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

STMicroelectronics

Corriente continua máxima de colector Ic

15A

Tipo de producto

IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

600V

Disipación de potencia máxima Pd

62.5W

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

3

Velocidad de conmutación

1MHZ

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2.5V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

10.4mm

Altura

9.15mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Discretos IGBT, STMicroelectronics


IGBT discretos y módulos, STMicroelectronics


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

Enlaces relacionados