Nº ref. fabric.

STMicroelectronics IGBT, Tipo N-Canal, 10 A, 600 V, TO-220, 3 pines Orificio pasante, 1 MHZ

Código RS:: 906-2808
Nº ref. fabric.:: STGP5H60DF
Fabricante:: STMicroelectronics

STMicroelectronics IGBT, Tipo N-Canal, 10 A, 600 V, TO-220, 3 pines Orificio pasante, 1 MHZ

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10 - 90	0,847 €	8,47 €
100 - 490	0,758 €	7,58 €
500 - 990	0,61 €	6,10 €
1000 - 1990	0,602 €	6,02 €
2000 +	0,595 €	5,95 €

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Código RS:: 906-2808
Nº ref. fabric.:: STGP5H60DF
Fabricante:: STMicroelectronics

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	STMicroelectronics
	Tipo de producto	IGBT
	Corriente continua máxima de colector Ic	10A
	Tensión Colector-Emisor máxima VCEO	600V
	Disipación de potencia máxima Pd	88W
	Encapsulado	TO-220
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Tipo de canal	Tipo N
	Número de pines	3
	Velocidad de conmutación	1MHZ
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima del emisor de puerta VGEO	20 V
	Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT	1.95V
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	10.4mm
	Serie	Trench Gate Field Stop
	Altura	9.15mm
	Energía nominal	221mJ
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca STMicroelectronics
	Tipo de producto IGBT
	Corriente continua máxima de colector Ic 10A
	Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 600V
	Disipación de potencia máxima Pd 88W
	Encapsulado TO-220
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Tipo de canal Tipo N
	Número de pines 3
	Velocidad de conmutación 1MHZ
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V
	Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.95V
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 10.4mm
	Serie Trench Gate Field Stop
	Altura 9.15mm
	Energía nominal 221mJ
	Estándar de automoción No

COO (País de Origen):: CN

Discretos IGBT, STMicroelectronics

IGBT discretos y módulos, STMicroelectronics

El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

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