STMicroelectronics IGBT, STGP5H60DF, Tipo N-Canal, 10 A, 600 V, TO-220, 3 pines Orificio pasante, 1 MHz
- Código RS:
- 168-8940
- Nº ref. fabric.:
- STGP5H60DF
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 tubo de 50 unidades)*
40,90 €
(exc. IVA)
49,50 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- 50 Envío desde el 08 de julio de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 0,818 € | 40,90 € |
| 100 - 200 | 0,778 € | 38,90 € |
| 250 - 450 | 0,737 € | 36,85 € |
| 500 - 700 | 0,696 € | 34,80 € |
| 750 + | 0,655 € | 32,75 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 168-8940
- Nº ref. fabric.:
- STGP5H60DF
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 10A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 600V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 88W | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Número de pines | 3 | |
| Velocidad de conmutación | 1MHZ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.95V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 10.4mm | |
| Altura | 9.15mm | |
| Anchura | 4.6 mm | |
| Serie | Trench Gate Field Stop | |
| Energía nominal | 221mJ | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 10A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 600V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 88W | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Número de pines 3 | ||
Velocidad de conmutación 1MHZ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.95V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 10.4mm | ||
Altura 9.15mm | ||
Anchura 4.6 mm | ||
Serie Trench Gate Field Stop | ||
Energía nominal 221mJ | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT discretos y módulos, STMicroelectronics
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.