IGBT, STGW30NC120HD, N-Canal, 60 A, 1.200 V, TO-247, 3-Pines, 1MHZ Simple
- Código RS:
- 795-9136
- Nº ref. fabric.:
- STGW30NC120HD
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 30/12/2024, con entrega en 4 día(s) laborable(s).
Añadido
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 2)
4,57 €
(exc. IVA)
5,53 €
(inc.IVA)
| Unidades | Por unidad | Por Pack* |
| 2 - 8 | 4,57 € | 9,14 € |
| 10 - 24 | 3,905 € | 7,81 € |
| 26 - 98 | 3,685 € | 7,37 € |
| 100 - 498 | 3,16 € | 6,32 € |
| 500 + | 2,815 € | 5,63 € |
| *precio indicativo | ||
- Código RS:
- 795-9136
- Nº ref. fabric.:
- STGW30NC120HD
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT discretos y módulos, STMicroelectronics
El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Corriente Máxima Continua del Colector | 60 A |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 1.200 V |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±25V |
| Disipación de Potencia Máxima | 220 W |
| Tipo de Encapsulado | TO-247 |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Tipo de Canal | N |
| Conteo de Pines | 3 |
| Velocidad de Conmutación | 1MHZ |
| Configuración de transistor | Simple |
| Dimensiones | 15.75 x 5.15 x 20.15mm |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
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