STMicroelectronics IGBT, STGW30NC120HD, Tipo N-Canal, 30 A, 1200 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante, 1 MHz

Ver todo IGBT
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 2 unidades)*

7,73 €

(exc. IVA)

9,354 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • 230 Envío desde el 12 de marzo de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
2 - 83,865 €7,73 €
10 - 243,305 €6,61 €
26 - 983,115 €6,23 €
100 - 4982,67 €5,34 €
500 +2,375 €4,75 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
795-9136
Nº ref. fabric.:
STGW30NC120HD
Fabricante:
STMicroelectronics
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

IGBT

Corriente continua máxima de colector Ic

30A

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

1200V

Disipación de potencia máxima Pd

220W

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

3

Velocidad de conmutación

1MHz

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2.75V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

±25 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

14.8mm

Anchura

15.75 mm

Altura

20.15mm

Certificaciones y estándares

ECOPACK, JEDEC JESD97

Estándar de automoción

No

Discretos IGBT, STMicroelectronics


IGBT discretos y módulos, STMicroelectronics


El transistor bipolar de puerta aislada o IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia de tres terminales, notable por su alta eficacia y conmutación rápida. El IGBT combina las características de accionamiento de puerta sencilla de los MOSFET con la capacidad de tensión de baja saturación y alta corriente de transistores bipolares mediante la combinación de un FET de puerta aislada para la entrada de control, y un transistor de potencia bipolar como conmutador, en un único dispositivo.

Enlaces relacionados