STMicroelectronics IGBT, STGYA75H120DF2, Tipo N-Canal, 150 A, 1200 V, Max247, 3 pines Orificio pasante, 1 MHz

Ver todo IGBT

Subtotal (1 tubo de 30 unidades)*

222,93 €

(exc. IVA)

269,76 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Información relativa a las existencias no accesible actualmente - Vuelva a comprobarlo más tarde
Unidad(es)
Por unidad
Por Tubo*
30 +7,431 €222,93 €

*precio indicativo

Código RS:
234-8892
Nº ref. fabric.:
STGYA75H120DF2
Fabricante:
STMicroelectronics
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

STMicroelectronics

Corriente continua máxima de colector Ic

150A

Tipo de producto

IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

1200V

Disipación de potencia máxima Pd

750W

Encapsulado

Max247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Tipo de canal

Tipo N

Número de pines

3

Velocidad de conmutación

1MHz

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2.6V

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El IGBT de STMicroelectronics desarrollado con una avanzada estructura de parada de campo de puerta de zanja propia. Este dispositivo forma parte de la serie H de IGBT, que representa un compromiso óptimo entre conducción y pérdidas de conmutación para maximizar la eficiencia de los convertidores de alta frecuencia de conmutación. Además, un coeficiente de temperatura VCE(sat) ligeramente positivo y una distribución de parámetros muy ajustada proporcionan un funcionamiento en paralelo más seguro.

Temperatura de unión máxima TJ = 17ºC

5 μs de tiempo de resistencia a cortocircuitos

VCE(sat) = 2,1 V (típ.) a IC = 75 A

Distribución de parámetros ajustada

Coeficiente de temperatura VCE(sat) positivo

Resistencia térmica baja

Diodo antiparalelo de recuperación muy rápida

Enlaces relacionados