Módulo IGBT, FS150R12KT4B11BOSA1, 150 A, 1.200 V 6

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Código RS:
244-5407
Nº ref. fabric.:
FS150R12KT4B11BOSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Corriente Máxima Continua del Colector

150 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

1.200 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

+/-20V

Número de transistores

6

Disipación de Potencia Máxima

750 W

El módulo IGBT Infineon tiene una corriente de colector Peak repetitiva nominal máxima de 300 A y una tensión de saturación de colector-emisor de 2,10 V, una tensión de umbral de puerta de 6,4 V.

Corriente de desconexión colector-emisor: 1,0 mA
Temperatura en condiciones de conmutación: 150 °C.
Corriente de fuga de emisor de puerta: 100 nA
Capacitancia de transferencia inversa: 0,35 NF

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