Módulo IGBT, FS100R12KE3BOSA1, 140 A, 1200 V 6
- Código RS:
- 244-5861
- Nº ref. fabric.:
- FS100R12KE3BOSA1
- Fabricante:
- Infineon
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*precio indicativo
- Código RS:
- 244-5861
- Nº ref. fabric.:
- FS100R12KE3BOSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 140 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 1200 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 480 W | |
| Número de transistores | 6 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 140 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 1200 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 480 W | ||
Número de transistores 6 | ||
El módulo IGBT de Infineon tiene una tensión de emisor-colector nominal máxima de 1.200 V y una disipación de potencia total de 480 W, así como una tensión de umbral de puerta máxima de 6,5 V.
Aislamiento interno aislamiento básico (clase 1, IEC 61140)
Tensión de pico de emisor de puerta +/- 20 V
Tensión de saturación del emisor-colector máxima 2,15 V
Corriente de fuga de emisor de puerta 400 nA
Tensión de pico de emisor de puerta +/- 20 V
Tensión de saturación del emisor-colector máxima 2,15 V
Corriente de fuga de emisor de puerta 400 nA