Infineon Módulo IGBT, 1200 V 4

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Código RS:
244-5369
Nº ref. fabric.:
F475R06W1E3BOMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

Módulo IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

1200V

Disipación de potencia máxima Pd

275W

Número de transistores

4

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El módulo IGBT Infineon es adecuado para inversores auxiliares, sistemas SAI, calefacción y soldadura inductivas y aplicaciones solares, etc.

Características eléctricas

Pérdidas de conmutación bajas, diseño inductivo bajo

IGBT Trench 3

VCEsat con coeficiente de temperatura positivo

Baja VCEsat

Características mecánicas

Sustrato Al2O3 con baja resistencia térmica

Diseño compacto

Tecnología de contacto de soldadura

Montaje resistente gracias a las abrazaderas de montaje integradas

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