Módulo IGBT, FP75R12KT4B11BOSA1, 75 A, 1200 V 7
- Código RS:
- 244-5846
- Nº ref. fabric.:
- FP75R12KT4B11BOSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 244-5846
- Nº ref. fabric.:
- FP75R12KT4B11BOSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 75 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 1200 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | ±20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 385 W | |
| Número de transistores | 7 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 75 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 1200 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor ±20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 385 W | ||
Número de transistores 7 | ||
El módulo IGBT de Infineon es adecuado para inversores auxiliares, accionamientos de motor, servoaccionamientos, etc.
Características eléctricas
Bajas pérdidas de conmutación
Tvj op = 150° C
VCEsat con coeficiente de temperatura positivo
VCEsat baja
Características mecánicas
Capacidad de ciclo térmico y alta potencia
Sensor de temperatura NTC integrado
Placa base de cobre
Tecnología de contacto Pressfit
Carcasa estándar
Bajas pérdidas de conmutación
Tvj op = 150° C
VCEsat con coeficiente de temperatura positivo
VCEsat baja
Características mecánicas
Capacidad de ciclo térmico y alta potencia
Sensor de temperatura NTC integrado
Placa base de cobre
Tecnología de contacto Pressfit
Carcasa estándar