Infineon Módulo IGBT, FP25R12W2T4BOMA1, 1200 V 7
- Código RS:
- 244-5394
- Nº ref. fabric.:
- FP25R12W2T4BOMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 244-5394
- Nº ref. fabric.:
- FP25R12W2T4BOMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | Módulo IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1200V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 175W | |
| Número de transistores | 7 | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2.25V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 12mm | |
| Longitud | 51mm | |
| Serie | FP25R12W2T4B | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 42.5 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto Módulo IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1200V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 175W | ||
Número de transistores 7 | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2.25V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 12mm | ||
Longitud 51mm | ||
Serie FP25R12W2T4B | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 42.5 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El módulo IGBT Infineon tiene una corriente de colector Peak repetitiva nominal máxima de 50 A y una tensión de saturación máxima de colector-emisor de 2,25 V, una tensión de umbral de puerta de 6,4 V.
Corriente de desconexión colector-emisor: 1,0 mA
Temperatura en condiciones de conmutación: 150 °C.
Corriente de fuga de emisor de puerta: 400 nA
Capacitancia de transferencia inversa: 0,05 NF