Infineon Módulo IGBT, FP15R12W1T4BOMA1, 1.2 kV 7

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Código RS:
244-5387
Nº ref. fabric.:
FP15R12W1T4BOMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

Módulo IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

1.2kV

Disipación de potencia máxima Pd

130W

Número de transistores

7

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2.25V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

62.8mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Anchura

33.8mm

Serie

FP15R12W1T4B

Altura

12mm

Estándar de automoción

No

Módulo IGBT serie FP15R12W1T4B de Infineon, tensión de colector-emisor de 1200 V, disipación de potencia de 130 W - FP15R12W1T4BOMA1


Este módulo IGBT es un conjunto de semiconductores de potencia diseñado para conmutar y controlar cargas dc de alta tensión en electrónica de potencia industrial. Proporciona capacidad de conmutación controlada para entornos térmicos y eléctricos exigentes, funcionando en un amplio rango de temperaturas y conforme a los requisitos RoHS.

Características y ventajas:


• La tensión nominal Vceo de 1200 V proporciona capacidad de conmutación de alta tensión
• La disipación de potencia de hasta 130 W permite una gestión sostenida de la carga térmica
• La resistencia del emisor de puerta de hasta 20 V admite márgenes de accionamiento de puerta robustos
• La saturación colector-emisor de 2,25 V reduce las pérdidas por conducción
• Siete transistores proporcionan conmutación de varios dispositivos en un encapsulado

Aplicaciones


• Apto para etapas de inversor de accionamiento de motor industriales
• Se utiliza con sistemas de conversión dc-dc de alta tensión
• Ideal para la corrección del factor de potencia y las etapas de conmutación suave
• Se puede utilizar para fuentes de alimentación de modo conmutado en servicios públicos
• Se utiliza para convertidores industriales y de tracción de media frecuencia

¿A qué temperaturas ambiente puede funcionar de manera fiable?


Mantiene el funcionamiento a temperaturas de −40 °C hasta 150 °C.

¿Cómo aborda el módulo las restricciones de sustancias peligrosas?


Está fabricado para cumplir con la normativa RoHS para materiales restringidos.

¿Cuáles son las consideraciones sobre el espacio de montaje externo?


El encapsulado mide 33,8 x 62,8 x 12 mm para planificar el tamaño y la altura.

¿Cuántos interruptores de semiconductores están integrados en el paquete?


La construcción incluye siete transistores individuales.

¿Qué rendimiento de conducción se puede esperar bajo carga?


Espera una tensión de saturación de colector-emisor máxima de 2,25 V durante la conducción.

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