Módulo IGBT, FP100R12KT4BOSA1, 100 A, 1200 V 7
- Código RS:
- 244-5380
- Nº ref. fabric.:
- FP100R12KT4BOSA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 unidad)*
205,20 €
(exc. IVA)
248,29 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 04 de enero de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 1 | 205,20 € |
| 2 - 2 | 201,09 € |
| 3 + | 180,99 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 244-5380
- Nº ref. fabric.:
- FP100R12KT4BOSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 100 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 1200 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | +/-20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 515 W | |
| Número de transistores | 7 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 100 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 1200 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor +/-20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 515 W | ||
Número de transistores 7 | ||
The infineon IGBT module the maximum rated repetitive peak collector current is 200 A and collector-emitter saturation voltag 2.20 V, gate threshold voltage is 6.4 V.
Collector-emitter cut-off current 1.0 mA
Temperature under switching conditions 150° C
Gate-emitter leakage current 100 nA
Reverse transfer capacitance 0.27 nF
Temperature under switching conditions 150° C
Gate-emitter leakage current 100 nA
Reverse transfer capacitance 0.27 nF