Infineon Módulo IGBT, 1200 V 7
- Código RS:
- 244-5379
- Nº ref. fabric.:
- FP100R12KT4BOSA1
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 bandeja de 10 unidades)*
1.103,03 €
(exc. IVA)
1.334,67 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 04 de junio de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bandeja* |
|---|---|---|
| 10 + | 110,303 € | 1.103,03 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 244-5379
- Nº ref. fabric.:
- FP100R12KT4BOSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | Módulo IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1200V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 515W | |
| Número de transistores | 7 | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2.1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 62 mm | |
| Longitud | 122mm | |
| Altura | 17mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Serie | FP100R12KT4 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto Módulo IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1200V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 515W | ||
Número de transistores 7 | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2.1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 62 mm | ||
Longitud 122mm | ||
Altura 17mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Serie FP100R12KT4 | ||
Estándar de automoción No | ||
El módulo IGBT Infineon tiene una corriente de colector Peak repetitiva nominal máxima de 200 A y una tensión de saturación de colector-emisor de 2,20 V, una tensión de umbral de puerta de 6,4 V.
Corriente de desconexión colector-emisor: 1,0 mA
Temperatura en condiciones de conmutación: 150 °C.
Corriente de fuga de emisor de puerta: 100 nA
Capacitancia de transferencia inversa: 0,27 NF