Infineon Módulo IGBT, FP75R12KT4B11BOSA1, 1200 V 7

Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidad

Subtotal (1 unidad)*

133,34 €

(exc. IVA)

161,34 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 07 de septiembre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"

Unidad(es)
Por unidad
1 - 1133,34 €
2 - 4130,68 €
5 +117,60 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
244-5848
Nº ref. fabric.:
FP75R12KT4B11BOSA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Tipo de producto

Módulo IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

1200V

Disipación de potencia máxima Pd

385W

Número de transistores

7

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2.15V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

17mm

Longitud

122mm

Anchura

62 mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Serie

FP75R12KT4B11B

Estándar de automoción

No

El módulo IGBT de Infineon es adecuado para inversores auxiliares, accionamientos de motor, servoaccionamientos, etc.

Características eléctricas

Bajas pérdidas de conmutación

Tvj op = 150° C

VCEsat con coeficiente de temperatura positivo

VCEsat baja

Características mecánicas

Capacidad de ciclo térmico y alta potencia

Sensor de temperatura NTC integrado

Placa base de cobre

Tecnología de contacto Pressfit

Carcasa estándar

Enlaces relacionados

Mantente al día de nuestras novedades y ofertas

Introduce tu dirección de correo

La información personal que nos proporciones al suscribirte se procesará de acuerdo con nuestra política de privacidad.