Infineon Módulo IGBT, FP75R12KT4B11BOSA1, 1200 V 7

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Código RS:
244-5848
Nº ref. fabric.:
FP75R12KT4B11BOSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

Módulo IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

1200V

Disipación de potencia máxima Pd

385W

Número de transistores

7

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2.15V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

17mm

Longitud

122mm

Serie

FP75R12KT4B11B

Anchura

62 mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El módulo IGBT de Infineon es adecuado para inversores auxiliares, accionamientos de motor, servoaccionamientos, etc.

Características eléctricas

Bajas pérdidas de conmutación

Tvj op = 150° C

VCEsat con coeficiente de temperatura positivo

VCEsat baja

Características mecánicas

Capacidad de ciclo térmico y alta potencia

Sensor de temperatura NTC integrado

Placa base de cobre

Tecnología de contacto Pressfit

Carcasa estándar

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