Módulo IGBT, FP50R12KT3BOSA1, 75 A, 1200 V, Módulo
- Código RS:
- 273-7403
- Nº ref. fabric.:
- FP50R12KT3BOSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 4 | 170,61 € |
| 5 - 9 | 167,19 € |
| 10 - 99 | 155,09 € |
| 100 - 249 | 142,11 € |
| 250 + | 131,20 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 273-7403
- Nº ref. fabric.:
- FP50R12KT3BOSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 75 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 1200 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | +/-20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 280 W | |
| Tipo de Encapsulado | Módulo | |
| Tipo de Montaje | Montaje en panel | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 75 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 1200 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor +/-20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 280 W | ||
Tipo de Encapsulado Módulo | ||
Tipo de Montaje Montaje en panel | ||
El módulo IGBT de Infineon tiene una tensión de emisor de colector de 1200 V y una corriente de colector dc continua de 50 A. Dispone de una placa base de cobre para una disipación de calor optimizada y un diseño de módulo de inductancia de baja desviación. Este módulo IGBT está disponible con bloqueo rápido de trinchera TRENCHSTOP IGBT3 y NTC.
Resistencia térmica
Alta fiabilidad
Alta densidad de potencia
Pérdidas de conmutación bajas
Concepto de módulo compacto
Alta fiabilidad
Alta densidad de potencia
Pérdidas de conmutación bajas
Concepto de módulo compacto