Infineon Módulo IGBT, FP50R12KT3BOSA1, 75 A, 1200 V, Módulo Panel

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Código RS:
273-7402
Nº ref. fabric.:
FP50R12KT3BOSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Corriente continua máxima de colector Ic

75A

Tipo de producto

Módulo IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

1200V

Disipación de potencia máxima Pd

280W

Encapsulado

Módulo

Tipo de montaje

Panel

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2.15V

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

125°C

Longitud

122mm

Certificaciones y estándares

EN61140, IEC61140

Estándar de automoción

No

El módulo IGBT de Infineon tiene una tensión de emisor de colector de 1200 V y una corriente de colector dc continua de 50 A. Dispone de una placa base de cobre para una disipación de calor optimizada y un diseño de módulo de inductancia de baja desviación. Este módulo IGBT está disponible con bloqueo rápido de trinchera TRENCHSTOP IGBT3 y NTC.

Resistencia térmica

Alta fiabilidad

Alta densidad de potencia

Pérdidas de conmutación bajas

Concepto de módulo compacto

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