Módulo IGBT, F3L150R12W2H3B11BPSA1, 75 A, 1200 V, Módulo
- Código RS:
- 273-7367
- Nº ref. fabric.:
- F3L150R12W2H3B11BPSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 4 | 117,69 € |
| 5 - 9 | 115,35 € |
| 10 - 99 | 107,00 € |
| 100 - 249 | 98,08 € |
| 250 + | 90,53 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 273-7367
- Nº ref. fabric.:
- F3L150R12W2H3B11BPSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 75 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 1200 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | +/-20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 500 W | |
| Tipo de Encapsulado | Módulo | |
| Tipo de Montaje | Montaje en panel | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 75 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 1200 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor +/-20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 500 W | ||
Tipo de Encapsulado Módulo | ||
Tipo de Montaje Montaje en panel | ||
El módulo IGBT de Infineon tiene 1200 V VCES, corriente de colector dc continua de 75 A, módulo IGBT de etapa de fase de 3 niveles con abrazadera de punto neutro activa 2, NTC, IGBT H3 de alta velocidad y tecnología de contacto Press FIT. Este módulo IGBT es adecuado para aplicaciones de 3 niveles.
Conformidad con RoHS
IGBT de alta velocidad H3
Pérdidas de conmutación bajas
Adecuado para aplicaciones solares
IGBT de alta velocidad H3
Pérdidas de conmutación bajas
Adecuado para aplicaciones solares