Infineon Módulo IGBT, F3L150R12W2H3B11BPSA1, 75 A, 1200 V, Módulo, 8 pines Panel

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Código RS:
273-7366
Nº ref. fabric.:
F3L150R12W2H3B11BPSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Corriente continua máxima de colector Ic

75A

Tipo de producto

Módulo IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

1200V

Disipación de potencia máxima Pd

500W

Encapsulado

Módulo

Tipo de montaje

Panel

Número de pines

8

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

1.75V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

UL (E83335), RoHS

Altura

16.4mm

Longitud

62.4mm

Estándar de automoción

No

El módulo IGBT de Infineon tiene 1200 V VCES, corriente de colector dc continua de 75 A, módulo IGBT de etapa de fase de 3 niveles con abrazadera de punto neutro activa 2, NTC, IGBT H3 de alta velocidad y tecnología de contacto Press FIT. Este módulo IGBT es adecuado para aplicaciones de 3 niveles.

Conformidad con RoHS

IGBT de alta velocidad H3

Pérdidas de conmutación bajas

Adecuado para aplicaciones solares

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