Infineon Módulo IGBT, F3L150R12W2H3B11BPSA1, 75 A, 1200 V, Módulo, 8 pines Panel
- Código RS:
- 273-7366
- Nº ref. fabric.:
- F3L150R12W2H3B11BPSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Bandeja* |
|---|---|---|
| 15 - 90 | 52,139 € | 782,09 € |
| 105 + | 47,795 € | 716,93 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 273-7366
- Nº ref. fabric.:
- F3L150R12W2H3B11BPSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 75A | |
| Tipo de producto | Módulo IGBT | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1200V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 500W | |
| Encapsulado | Módulo | |
| Tipo de montaje | Panel | |
| Número de pines | 8 | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 1.75V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 16.4mm | |
| Longitud | 62.4mm | |
| Anchura | 56.7 mm | |
| Certificaciones y estándares | UL (E83335), RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 75A | ||
Tipo de producto Módulo IGBT | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1200V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 500W | ||
Encapsulado Módulo | ||
Tipo de montaje Panel | ||
Número de pines 8 | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 1.75V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 16.4mm | ||
Longitud 62.4mm | ||
Anchura 56.7 mm | ||
Certificaciones y estándares UL (E83335), RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El módulo IGBT de Infineon tiene 1200 V VCES, corriente de colector dc continua de 75 A, módulo IGBT de etapa de fase de 3 niveles con abrazadera de punto neutro activa 2, NTC, IGBT H3 de alta velocidad y tecnología de contacto Press FIT. Este módulo IGBT es adecuado para aplicaciones de 3 niveles.
Conformidad con RoHS
IGBT de alta velocidad H3
Pérdidas de conmutación bajas
Adecuado para aplicaciones solares