Infineon Módulo IGBT, 69 A, 1200 V, Módulo, 8 pines Panel
- Código RS:
- 273-7361
- Nº ref. fabric.:
- DDB6U75N16W1RBOMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 4 | 36,54 € |
| 5 - 9 | 35,81 € |
| 10 - 99 | 33,23 € |
| 100 - 249 | 30,46 € |
| 250 + | 28,10 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 273-7361
- Nº ref. fabric.:
- DDB6U75N16W1RBOMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | Módulo IGBT | |
| Corriente continua máxima de colector Ic | 69A | |
| Tensión Colector-Emisor máxima VCEO | 1200V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 335W | |
| Encapsulado | Módulo | |
| Tipo de montaje | Panel | |
| Número de pines | 8 | |
| Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT | 2.25V | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 33.8 mm | |
| Altura | 16.4mm | |
| Certificaciones y estándares | IEC61140, EN61140 | |
| Longitud | 62.8mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto Módulo IGBT | ||
Corriente continua máxima de colector Ic 69A | ||
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO 1200V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 335W | ||
Encapsulado Módulo | ||
Tipo de montaje Panel | ||
Número de pines 8 | ||
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT 2.25V | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 33.8 mm | ||
Altura 16.4mm | ||
Certificaciones y estándares IEC61140, EN61140 | ||
Longitud 62.8mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Los módulos de puente de diodos Infineon con chopper de freno y NTC para un diseño de convertidor más compacto. Tiene una tensión inversa de pico repetitiva de 1.600 V y una corriente de avance RMS máxima de 65 A por chip.
Resistencia térmica
Aislamiento interno Al2O3
Disipación de potencia total 335 W
Corriente de avance dc continua de 15 A