Módulo IGBT, DDB6U75N16W1RBOMA1, 69 A, 1200 V, Módulo
- Código RS:
- 273-7360
- Nº ref. fabric.:
- DDB6U75N16W1RBOMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Bandeja* |
|---|---|---|
| 24 - 96 | 34,627 € | 831,05 € |
| 120 + | 31,741 € | 761,78 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 273-7360
- Nº ref. fabric.:
- DDB6U75N16W1RBOMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 69 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 1200 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | +/-20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 335 W | |
| Tipo de Encapsulado | Módulo | |
| Tipo de Montaje | Montaje en panel | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 69 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 1200 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor +/-20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 335 W | ||
Tipo de Encapsulado Módulo | ||
Tipo de Montaje Montaje en panel | ||
Los módulos de puente de diodos Infineon con chopper de freno y NTC para un diseño de convertidor más compacto. Tiene una tensión inversa de pico repetitiva de 1.600 V y una corriente de avance RMS máxima de 65 A por chip.
Resistencia térmica
Aislamiento interno Al2O3
Disipación de potencia total 335 W
Corriente de avance dc continua de 15 A
Aislamiento interno Al2O3
Disipación de potencia total 335 W
Corriente de avance dc continua de 15 A