Módulo IGBT, FP10R12W1T4B3BOMA1, 20 A, 1200 V, Módulo
- Código RS:
- 273-7395
- Nº ref. fabric.:
- FP10R12W1T4B3BOMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 4 | 40,93 € |
| 5 - 9 | 40,11 € |
| 10 - 99 | 37,20 € |
| 100 - 249 | 34,11 € |
| 250 + | 31,49 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 273-7395
- Nº ref. fabric.:
- FP10R12W1T4B3BOMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Corriente Máxima Continua del Colector | 20 A | |
| Tensión Máxima Colector-Emisor | 1200 V | |
| Tensión Máxima Puerta-Emisor | +/-20V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 105 W | |
| Tipo de Encapsulado | Módulo | |
| Tipo de Montaje | Montaje en panel | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Corriente Máxima Continua del Colector 20 A | ||
Tensión Máxima Colector-Emisor 1200 V | ||
Tensión Máxima Puerta-Emisor +/-20V | ||
Disipación de Potencia Máxima 105 W | ||
Tipo de Encapsulado Módulo | ||
Tipo de Montaje Montaje en panel | ||
El módulo IGBT de Infineon tiene un montaje robusto gracias a las abrazaderas de montaje integradas. Este módulo IGBT dispone de un VCEsat con coeficiente de temperatura positivo y un sustrato Al2O3 con baja resistencia térmica. Es adecuado para inversores auxiliares, aire acondicionado y aplicaciones de accionamiento de motores.
VCEsat bajo
Trinchera IGBT 4
Diseño compacto
Pérdidas de conmutación bajas
Tecnología de contacto de soldadura
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